在全球半导体技术竞赛中，极紫外光刻技术（EUV），已成为决定胜负的关键战场。当我看到，三星电子在这一领域的突破性进展时，不禁感叹：中国何时才能在这场技术角逐中真正站稳脚跟？作为一名资深的科技观察者，我深入研究三星EUV技术的发展历程，发现其背后蕴含的故事，远比想象中更加惊心动魄。
13.5纳米的光：改变芯片制造的革命
极紫外光刻技术的核心在于，利用波长仅为13.5纳米的极紫外光，而且这比传统深紫外（DUV)光刻技术，使用的193纳米波长短了14倍多。这一技术突破，使得芯片制造商能够在相同面积内，实现更高的存储容量，也满足了未来对高容量内存日益增长的需求。
三星电子的EUV技术团队在首席工程师Jos的带领下，经历了漫长而艰辛的研发过程。从1997年开始研发，直到2010年圣诞前夕，他们才在韩国的一家三星研究设施中实现了第一台TWINSCANNXE:3100预生产EUV系统的”首光”(firstlight)。
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