这两天，互联网上讨论的热度很高，大家都很激动，主要是一些博主的文章，或援引外媒报道，或直接分析称，近期我们自主研发的先进（注：“先进”代指“EUV”）光刻机取得重大突破，2025年第三季度试验，2026年投产，能绕过ASML专利，实现7nm工艺。
标题也非常吸睛，“国产先进光刻机，即将登场”、“国产先进光刻机良率，可达70%”。具体是咋回事呢？龙科多尽量通过公开资料解读一下。
目前来看，暂无权威媒体报道此事，多是咱们国内的自媒体老师们在关注。龙科多仔细查了下信源发现，报道的源头应该就是来自外媒在三个月前的报道。
今年3月，美国一家叫《Wccftech》的科技网站称，中国自研的先进光刻机，将在今年第三季度进入试验生产阶段，而且采用更简单、更高效的设计办法。这篇报道没有提及7nm或5nm，只是表示，中芯国际、华为都将受益。
这家网站是什么背景呢？我们也查了下，不是正式的媒体，更像是疑似专业人士或爱好者们放料的论坛，再由网站编辑，搜集整理写成文章，网站的留言区还是非常热闹，也不乏一些专业人士，编辑会根据评论区修正稿件内容。
龙科多仔细看了，有关中国先进光刻机的报道原文，其实他们的信源，也是“据称”、“据报道”，这就有点意思了。
老外的源头报道又来自哪里呢？这个龙科多就熟悉了，其实啊，又是咱们熟悉的出口转内销。
大家还记得不？今年1月，哈工大研究团队，已经研发了一项名为“激光诱导放电等离子体（简称：LDP）”的技术，这算是针对先进光刻机，提供了另一套光源实现办法。
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