根据前几天IT之家的消息，我国的上海芯上微装科技股份有限公司（AMIES）宣布，其自主研发的首台0.35μm（350nm制程线宽）的步进光刻机（AST6200）正式完成了出厂调教与验收，启程发往客户现场。
在台积电正在筹备2nm制程芯片工厂以及英特尔已研发出18A制程芯片的背景之下，350nm可能根本不够看的。
为啥不够看，因为0.35μm与2nm之间的制程代差，将近有25年的差距，近四分之一世纪的差距了。
我们来看下台积电的芯片制程发展路径。
从台积电的年份及芯片制程工艺的发展历史我们可以了解到，在台积电刚成立的1987年，其起步工艺定位在了3.5μm，到上世纪九十年代至二十世纪初的时候，就已经突破至0.35μm。
不过，半导体产业并不是单纯以芯片制程论英雄，随着摩尔定律逐步接近极限，越是先进制程的芯片制造边际效率的提升愈发缓慢，相应的成本却是成倍的提升，早已违背了摩尔定律成本翻倍降低的初衷，除了的单纯的缩短芯片套刻间隙以提升芯片晶体管密度之外，开发新的半导体材料也是一个十分重要的路子。
而本次上海芯上微装的光刻机，就支持强工艺的适配性，除了常见的Si（硅）材料之外，这套光刻机还支持SiC（碳化硅）、InP（磷化铟）、GaAs（砷化镓）及蓝宝石等多种材质基片。
这其中，尤其是支持GaAs材料。
作为第二代半导体材料，砷化镓因其高昂的价格素有“半导体贵族”的称号。
目前，中国早在2001年，就已经成功掌握了这种材料的生产技术，成为了距日本、德国之后第三个掌握这一技术的国家。
为啥一定要掌握这项生产技术呢？
根据专家介绍，这种材料因可以同时在一块芯片上处理光电数据，且因其在电子迁移率上比硅材料高6倍的特性，被广泛应用于超高速、超高频器件的集成电路中，且被应用到激光制导导弹的重要材料当中。
而在海湾战争中，因初次使用就大显神威，赢得了“砷化镓打败钢铁”的美名。
由此可见，这款芯上微装的光刻机在当前国际政治环境下的重要性。
虽然其制程相对来说较为落后，但是在一些重要领域，尤其是涉及到我们国家战略安全方面，我们是一定要实现自主可控的。
包括AST6200光刻机的软件，同样也是实现了100%的自主可控所打造的全栈国产生态，从底层驱动到上层的工艺管理，实现了完全自主主权，具备强大的工艺扩展性与远程运维能力。
0.35μm仅仅是一个开始，只要我们坚持使用国产产品，相信终有一日能够实现从能用到好用的跨越！
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