上海微新一代光刻机，究竟是什么水平？

最近的上海进博会上，上海微电子展示的新款光刻机模型，引起了外界的高度关注。有营销号文章说这是关键突破，也有文章指出，模型的制程不是28nm，也不是40nm，没啥可激动的。今天这期视频我们稍微展开聊聊。

进博会的第一天，龙科多工作室的同事也去看了上海微的展台，准确来讲，是中国馆的科技成就展区。上海微的这款模型，与国产盾构机、月球车、大飞机等的模型，一起展示。

我们团队的第一印象是，相比上海微之前在各类行业展会公开展出的更大一号模型，这次的模型体积更小，名字也很简单，就写了一句话，干式光刻机。既然如此，那么，内部结构也没啥大变化，所以当时我们也没觉得多稀奇。

但进博会的第二天，上海微的公众号罕见的高调发布文章，介绍这款模型，也彻底的搅动了舆论场。

上海微的公众号介绍，该模型是新一代前道干式光刻机通用技术平台，可以适配i-line、KrF（氟化氪）两种光源，主要的设备上游模块，已经完全自主可控，目前，已经稳定量产，已经在国内头部逻辑芯片厂、存储芯片厂稳定运行，支持产线流片超千万片。

确实是难得主动宣传一次，感觉也是憋了很久，有话要讲，而且，从舆论氛围来看，也是允许讲点啥了。

果然，上海证券报根据发布了一篇报道，通过采访专家的形式，进一步披露，上海微新款光刻机模型是一款通用平台，具体型号分别是SSC-800、SSB-800，还指出新款光刻机国产化率突破90%。

以上就是若干关键的权威信息介绍。过去几年，大机器太低调了，因此，这次的主动宣传，哪怕是光刻机制程看似并不是非常先进，但还是极大的回应了外界的兴趣，推高了舆论热度。

当然，网络上出现的关于制程的夸张猜测，就有一定的误导性了。例如，有说法认为可能是90nm，甚至已经拉到60nm。龙科多起初的分析，也倾向于90nm。因为上海微在其它展会上公开的制程是110nm，按技术演进推断，这次大概率是升级到90nm。

不过，龙科多详细梳理分析后，否认了之前的猜测，目前更倾向于认为，上海微这次展示的新一代光刻机，不是制程的“新”，而是整座平台的“新”。

龙科多此前节目中，就介绍过上海微已有的产品型号，包括SSA600、SSC600、SSB600，这些在官网上其实都有。我们接着看型号的含义，其中，“SS”表示“步进式扫描投影光刻机”，“A、C、B”表示不同光源，分别是ArF（氟化氩）、KrF（氟化氪）、i-line，按照行业的惯例，对应的制程分别是90nm、110nm、280nm。

那么，这次高调宣传的新型号是SSC-800、SSB-800，其中的“C、B”，也是表示光源KrF（氟化氪）、i-line，同时，也与上海微官方公众号的介绍一致，新一代平台适配KrF（氟化氪）、i-line光源技术。

既然如此，那么基本可以认为，制程没有做更新。从技术、商业逻辑整体看，KrF（氟化氪）光刻110nm芯片已经是最极限的选择，当然，通过“多重曝光”、“分辨率增强”这类办法，KrF（氟化氪）也能拉到90nm，但芯片工厂基本不这么干，因为成本会变高，也会拉低良率，成熟制程的芯片本来就比较卷，对成本是比较敏感的。行业内的普遍做法是，制程如果再下探，就切换到波长更短的ArF（氟化氩）光源。

既然制程没有做更新，是不是说明了上海微手里的最强技术，就是到顶了呢？大家不要跟风夸大，同样，也无需过于灰心。能展示的模型，大概率是非常成熟的技术，而不是最先进的，或者次先进的。这一点，只可意会不可言传，大家耐心等待即可。

龙科多是专业半导体的自媒体，我们反而是从豆腐块新闻中，也看到了其他有价值的信息。例如，从600升级到800，“C、B”两种光源对应的制程没变，但整座平台实现了“换新”，有关的表述非常自信。

按照我们的分析，上海微的“600”平台属于早期平台，主要是解决国内280nm、110nm光刻机，从无到有的问题。一些关键零部件，应该还是国际供应链采购，自主性比较弱。

现在，成熟商用的“800”平台，其国产化率突破了90%，物镜、照明系统、双工件台、研磨台、物料传输系统、对准调平传感系统全都是国产的，甚至是上海微自主的。注意这里没有提光源，光源确实信息较为敏感，不过，既然已经具备大规模交付能力，那说明，全链路基本摆脱了海外供应链卡脖子风险。

另外，“800”平台相比“600”平台，成像性应该是更好。虽然技术上看，KrF（氟化氪）“极限”制程是110nm，但光刻芯片时，不仅要看刻得多细，也要看对齐得准不准，也就是所谓的“套刻精度”。芯片是一层又一层刻出来的，上下层对准时，肯定有些偏差。“套刻精度”高，证明上下层对准时的偏差很小，那芯片的良率就会提高。所以，大家要重点关注上海微公众号上的这句话，新一代光刻机“套刻精度”紧密追赶国际标杆。

最后，大家其实应该对下面的讨论，更加敏感一点，即咱们看公开的资料，为啥过去的“600“系列曾有ArF（氟化氩）干式光刻机，但如今最新的“800”系列，却低调到，只有KrF（氟化氪）干式光刻机，不见波长更短的ArF（氟化氩）了呢？

龙科多认为，ArF（氟化氩）的干式光刻机，是非常关键的一步。当年的ASML，其技术跃升就是从ArF（氟化氩）的干式光刻机到浸没式的，也就是达到DUV的技术顶峰，单次曝光能直接拉到28nm；而日系的两家，就是卡在了从干式ArF（氟化氩）到浸没式的关键节点。

那么，问题来了，上海微后续多久才会，一步步公开信息，带给大家惊喜呢？龙科多认为，到了合适的时机，国产28nm大机器自主化的消息自然会公布，我们在吃瓜的同时，要尽量做到不传谣、不添麻烦。技术上看，ArF（氟化氩）技术有两个关键点，一是采用新的光源，二是与代工厂要密切配合，需要代工厂的浸没式工艺也能够同步支撑。