中国光刻机大突破！绕开ASML EUV封锁，已有2个方案了

不黑也不吹，目前在光刻机领域，我们确实落后国际顶尖水平太多了。

ASML的EUV光刻机，已经能够制造2nm的芯片。而我们还在ArF阶段，也就是干式DUV光刻机，之后还有浸润式DUV光刻机，还有EUV光刻机，落后好几代，用一些人的话来说，可能是15-20年。

而光刻机，是最核心的芯片设备，特别是EUV光刻机，是制造7nm以下芯片的必备，而ASML的EUV光刻机不卖给我们。

所以，我们必须研发出自己的EUV光刻机，但要研发自己的EUV很困难，是因为ASML已经用专利设置了壁垒，甚至还捆绑了一系列的核心供应链。

在这样的情况之下，我们也可以换其它的路，绕开ASML对EUV专利、技术的封锁。

而近日，根据媒体报道，我们已经在两个方面上有了突破，且有了成果，不只是理论上的。

第一个方向，纳米压印技术，前几天璞璘科技自主设计研发的首台PL-SR系列喷墨步进式纳米压印设备，已经顺利通过验收并交付至国内特色工艺客户。

这台设备的参数是，线宽＜10nm ，能够用于储存芯片、硅基微显、硅光及先进封装等领域，而这个线宽<10nm，理论上是可以用于5nm以下芯片制造的。

第二个方向，则是EBL电子束技术，这个项目是浙江大学成果转化基地孵化出来的，推出了全国首台国产商业化电子束光刻机 “羲之”，已经进入了应用测试阶段。

这台EBL光刻机，精度达 0.6nm、线宽 8nm，无需掩膜版，可直接在硅晶圆上进行芯片电路图的刻录，理论上也是可以用于5nm及以下芯片的。

因为ASML的第一代EUV光刻机，线宽是13nm，第二代EUV光刻机，线宽是8nm，都能用于2nm芯片制造的。

当然，不管是纳米压印，还是EBL电子束，因为其功率低于EUV，所以效率也是低于EUV，暂时无法进行大规模的芯片制造。

但这两个方面的突破，意味着我们已经拥有了先进芯片制造的能力了，未来不断提升，说不定这两种技术，都可以用于大规模的芯片制造，那时候ASML估计就要慌了。