“即便公开图纸，中国也造不出EUV光刻机。”
三年前ASML公司CEO这句话如一根利刺，深深刺痛了中国技术人员的心。彼时，ASML凭借对EUV（极紫外）光刻机的独家垄断，掌控着7nm及以下先进制程芯片的命脉，而中国在光刻机领域长期受制于海外技术封锁，似乎只能在“跟跑”中艰难前行。
但短短三年后，我国用实际行动给出了强有力的回应——在光刻机领域开辟出多条技术路线，且每一条都实现了从“追赶”到“突破”的跨越，让曾经的质疑不攻自破！
01中国突破技术死局：多条路线齐发力
在纳米压印光刻领域，此前日本佳能处于领先地位，其设备线宽能达到14nm，对应传统5nm 制程。而就在近期，国内企业璞璘科技成功逆袭，首台由其自主设计研发的PL-SR系列纳米压印设备，已交付国内特色工艺客户手中。该设备线宽小于10nm，一举超越佳能，并且在存储芯片、硅基微显、硅光等领域完成研发验证，为这些领域的芯片制造提供了新的高效方案。
而电子束光刻方面，日前浙大研发团队也推出了我国首台商业机“羲之”。其精度达到0.6nm，线宽8nm，可通过电子束直接在芯片上刻写电路，无需掩膜版，灵活性极高。据悉，“羲之”已成功进入测试阶段，尤其适用于量子芯片的研发及高端芯片的前期科研工作。该技术成功破解了长期以来因国际出口管制导致国内科研机构难以获取此类设备的难题。
付费会员1、本文只代表作者个人观点，不代表星火智库立场，仅供大家学习参考； 2、如若转载，请注明出处：https://www.xinghuozhiku.com/523948.html