成功抢占3nm制程高地！被低估的国产半导体靶材龙头，助力国产半导体材料替代，其市场份额已位居全球第二，国产第一！

很多人可能还不知道，在半导体领域，溅射靶材同样是一种必不可少的核心材料。

靶材，作为溅射工艺中的关键材料，其作用，就是通过高能离子轰击，将靶材原子或者分子剥离并转移到衬底表面，从而形成特定功能的薄膜。

这其中，靶材材料的纯度以及成分将直接影响薄膜的导电性、光学特性以及化学稳定性。

靶材无论是在光伏太阳能板、新能源领域、磁性材料和光学器件都是不可缺少的，各个领域所需要的靶材材料以及纯度要求各不相同。

而半导体对其靶材材料要求却格外的严格，需要达到5N（99.999%）甚或更高的纯度级别，避免因杂质造成器件失效，其核心材料主要包含了铝、钛、钨等材料。

而我们国家之所以能够在靶材领域成绩斐然，一方面与最近我们国家在新能源汽车领域、太阳能光伏板领域庞大的市场需求有着脱不开的关系，而另一方面，与我们国家在稀土提纯技术方面也有着十分微妙的联系。

这其中，有一家国产企业就不得不被提及，江丰电子（需备注，这里可真不是给江丰电子打广告，说实话其发展到如今规模，已经不需要我这小卡拉米来打广告了）。

全球角度，江丰电子已经占据了全球半导体靶材近12%~18.6%的市场份额，稳居全球第二（第一是谁目前不清楚，可能是日矿金属），而在国内市场中，12英寸的晶圆厂靶材市场当中，江丰电子更是占据了73%的市场份额，稳居全国第一。

这其中，江丰电子的铜锰合金靶材和钨靶已经批量供货给台积电，进入到台积电的采购清单当中。

前面我们已经提到，在半导体靶材供应上，其靶材的纯度需要达到5N级别，而江丰电子则是目前唯一具备量产6N（99.9999%）超高纯铜靶材，杂质控制达十亿分之一。

在钛靶技术方面，江丰电子更是达到了7N级别。

并且，其300mm的铜锰合金靶材高致密钨靶都已经具备了生产3nm的芯片生产工艺，开放式射线源瞄准5nm以下逻辑芯片。

也就是说，我们国家在3nm及以下芯片制程方面，靶材材料也获得了一项关键突破，至少在这一方面，我们国家已经能够完全实现自给自足，再也不用担心被其他国家卡脖子了。

以上。