上期说了EUV，这一期就开说说浸润式DUV吧。
波长248nm的KrF准分子激光之后，光刻机向波长193nm的ArF准分子激光时代迈进。然而在到达了65nm的分辨率瓶颈后，继续提高光刻机分辨率的途径就只有提升NA和降低光源波长两条路线。第一条则是ASML的浸润式光刻路线，沿用ArF准分子激光，通过镜头和晶圆之间的水层提升数值孔径(NA)；另一条是以尼康为代表的157nm波长的F2准分子激光，不过尼康最终败在了材料路线上。对于这个故事，关心科技发展的小伙伴可以说耳熟能详，甚至比⑧蜀还要了解其背景。
此次的主角便是传说中的国产浸润式DUV光刻机！根据FT和TrendForce的说法，其目标是制造比肩英伟达的先进AI芯片，那毫无疑问，其套刻精度的性能上至少应该是看齐ASML的NXT2000以上的。
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