中国造光刻机，现在什么情况？

现在比较容易误解的一点是，中国已经能在没有EUV光刻机的情况下做出7nm手机芯片。但是中国自己的光刻机，公开产品还是停在90nm。工信部2024年目录里能确认的ArF指标，也只是193nm光源、65nm分辨率、8nm套刻。

中国不是造不出光刻机。上海微电子官网上，SSX600系列明确写着可满足90nm、110nm、280nm关键层和非关键层光刻工艺需求，封装、显示、功率器件这些场景，也早就有国产设备在跑。问题在于，手机处理器、AI芯片、先进存储需要的不是“能曝光”，而是能在12英寸晶圆上，一片接一片地曝光，套刻误差压住，吞吐量上去，故障时间下去，良率还能让晶圆厂有利润，能持续生产。

DUV和EUV的差别，不只是波长从193nm变成13.5nm。DUV浸没式光刻可以靠水层提高分辨率，再靠多重曝光把图案拆开，一次画不完就画两次、三次、四次。

中芯国际给华为Mate 60 Pro做出的7nm N+2，行业判断是没有EUV，这说明DUV路线有韧性。但DUV多重曝光每多一次，就多一次对准，多一次刻蚀，多一次沉积和清洗，成本和缺陷都会上升。它目前解决了“做出来”的问题，还没解决“便宜稳定地做出来”的问题。

我倾向于把中国光刻机的卡点分成三层。

第一层是国产ArF干式和KrF设备从目录指标走向更多产线验证，65nm、90nm这类成熟节点要把可靠性做实。第二层是28nm浸没式DUV，宇量昇设备在中芯国际测试，上海微电子也被反复提到，但到2026年5月，公开证据还不足以证明它已经稳定批量进入先进逻辑产线。第三层才是EUV。路透曾报道中国已有EUV原型机在深圳测试，若属实，这是重大进展，但原型机能发光，不等于能把芯片做出来，更不等于能像ASML一样每天服务量产线。

现在更现实的路线，是国产光刻机先在成熟制程和不那么关键的层数里扩大使用，把工作台、套刻、光源稳定性、量测反馈一点点磨出来。28nm浸没式如果在2027年前后进入更多产线，它会先缓解成熟逻辑、射频、汽车和部分AI配套芯片的压力。至于7nm、5nm，短期仍会高度依赖存量ASML DUV、多重图形和工艺设计协同，能做，成本高一点就是了。

我不相信“马上超越”，也不相信“永远没戏”。光刻机不是单点突破的故事，它更像一场漫长的工业进化。中国自己有一个庞大的市场，会产生自己的生态。